李先生 | 14年 | 硕士 | 应用化学 |
个人简历
基本情况：
姓名： * * 性别： 男
出生年月： 1973.1 健康状况： 良好
毕业学校： 西安交通大学 专业： 应用化学
学历： 硕 士 工作年限： 9 年
联系方式：
小灵通： *************
手机： ***********
**mail: ******************
教育背景：
2002.9~2005.7 西安交通大学就读应用化学硕士专业，研究方向：纳米 tio 2 的制备。
1991.9~1995.7 西安建筑科技大学就读选矿专业
工作经验：
1995.9~2001.2 陕西省略阳县东沟坝金矿担任技术员和负责工艺技术的车间副主任，负责车间的工艺流程及参数，提高选矿富集率。参与*******厂的设计和扩建工作。
2005.7~ 至今 江苏省*******有限公司工作，参与了*******厂房建设， tft 5g cvd 设备 akt-15k 的安装调试。在 ivo 量产后，主要负责 pecvd 制程工作的改善和提高。
我*******有限公司 ***** 厂的 thin film 部门，主要负责 pecvd 机台的制程改善和提高的工作，如 rps 的 clean recipe 的效能的确认和调整。 2007 年 8 月起，成为 pecvd 的制程 leader ，带领本小组 team 为改善 pecvd 镀膜中的 particle 和提高产品的量率以及 akt 机台的性能发挥了重要的作用。参加了 array 关于降低 p1 类型 defect 的专案小组，通过对 particle source 的确认，有效的降低了 in-film particle 的数量， in-film particle 的 density 由 5.2pcs/sheet 减少至 3.2pcs/sheet 。在此期间，为了达到降低制造成本从而获取更大的生产利润的目的，主导了 cvd 镀膜制程中的主要制程气体如 sih 4 、 nh 3 等的 2nd source 的导入工作，目前这些气体已经在使用当中。同时，在机台异常状况以及产品异常状况处理方面经验较为丰富，能及时准确的确认 issue 的状况以及机台的制程能力的变化，从而在较短的时间内恢复机台的 run 货能力。能够熟练运用 qc 手法分析制程的不良并提出相应的改善对策，负责 pecvd 机台的操作 sop 撰写和制程管制书的撰写。
从 2008 年 10 *****厂内量率要求，努力降低 cvd 镀膜过程的 particle 所造成的量率 loss 。目前镀膜 particle 所造成的 yield . loss 的水平由原来的 0.46% 降为现在的 0.25% 。
英语水平：
英语听、读、写熟练，口语良好。
计算机水平：
计算机技能较好，能熟练的运用 word 、 excel 等办公软件进行数据分析，能熟练使用 powerpoint 进行 presentation 。
业余爱好：
体育，旅游，听音乐
自我评价：
3 年 tft 工业 pecvd 制程工程师经验。两年部门管理经验，一年 team leader 经验。
做事踏实细心，接受新事物的能力强，具有较强的管理方面的能力。我相信任何事情只要去做，就一定会成功。
求职意向：
期望工作性质：
全职
期望从事职业：
半导体技术、产品工艺 / 规划 / 制程工程师、药品生产 / 质量管理
期望从事行业：
电子技术 / 半导体 / 集成电路、石油 / 石化 / 化工、医药 / 生物工程、学术 / 科研、政府 / 公共事业 / 非盈利机构
期望工作地区：
上海、西安、苏州、昆山、南京
期望月薪：
9000 元 / 月 以上
简历编号:1254337